IGBT是绝缘栅双极型晶体管 (Insulated Gate Bipolar Transistor) 的简称，具有高压、高速度、高可靠性和低饱和电压等优点，广泛应用于工业电源、电磁灶、电动车辆、太阳能发电、风能发电和交通信号灯等领域。
由于IGBT的各项性能均优于MOSFET和电力晶体管，竞争对手的生产成本却不如IGBT低，因此IGBT被广泛应用于各个领域，尤其是在工控、可控硅改造等电力应用领域。
近年来，IGBT的应用市场得到了进一步的扩大和发展。IGBT技术的不断改进和升级，使其在大型设备控制、计算机控制、电力电子、电动汽车及通信设备等领域得到了广泛应用。
IGBT的原理是在与普通的晶体管类似，只不过由于其特殊的构造和制造工艺，它可以同时具有金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和双极型晶体管 (BJT) 的优点，即承受高电压、高电流和开关速度快等能力优势。IGBT的工作状态分为开关状态和非开关状态两种。
IGBT在实际应用中，需要根据需求的电流和电压，选取适当的IGBT晶片、散热器、绝缘材料、压降降低、负载能力和管便捷性等要素，才能够确保电路的高性能和可靠性。
实际上，IGBT在发展过程中还出现了一些难点，例如：首先，IGBT晶片的制造难度大，且成本昂贵；其次，由于IGBT的内部结构复杂，需要一个高功率的驱动电路和一定的保护电路，才能够保证其安全和可靠性；另外，由于IGBT电路的运行频率低，需要更加精确的控制来满足工业的要求。
虽然IGBT有一些困难的存在，但是其优点远远大于缺点。随着技术的提高，IGBT技术将会在更广泛的应用中得到应用和发展。
总括而言，随着科技的不断进步，IGBT技术将会在更多领域内得到应用，IGBT市场将会持续扩大，同时IGBT技术的不断更新和升级使其在实际应用中具有更多的潜力和可靠性。
