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徐圆朗现象是什么意思？
徐圆朗现象，又称为“徐老师现象”，是指在一个平衡液体管道中，当液体通过管道时，由于液体的黏性，会形成一个向前推进的液体膜，导致管道内液体流动速度逐渐加快，最终出现液体反向流动的现象。
徐圆朗现象是由中国科学家徐圆朗在20世纪30年代发现和研究的，他在研究流体力学方面偶然发现了这种现象，并用实验证明了它的存在。这个现象后来引起了人们的广泛关注，成为了流体力学领域一个重要的研究课题。
徐圆朗现象的发现对于人们研究液体的流动规律和黏性等性质具有重要的意义，也为人们开发液体流动工艺和设备提供了理论基础。此外，徐圆朗本人也因他在流体力学和数学等领域的重要贡献而被誉为“中国数学和力学的奠基人之一”，成为了20世纪中国科学界的杰出代表之一。
半导体中的STI是什么意思？
shallowtrenchisolation浅沟道隔离特点：能实现高密度的隔离，适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。一般在器件制作之前进行，热预算小。STI技术工艺步骤：首先，类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。其次，利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。然后，进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽。最后，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，需要回刻或者CMP
rie的工作原理？
反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。
但是该刻蚀技术不能获得较高的选择比，对表面的损伤大，有污染，难以形成更精细的图形。
刻蚀的物理过程？
答：所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。
刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
化学刻蚀液原理？
(1)紫外光照射暴露于刻蚀液的氮化镓将激发氮化镓半导体内产生电子-空穴对；
(2)电子在金属层表面(作为光电化学的阴极)被刻蚀液中的氧化剂消耗，与此同时，空穴在氮化镓/刻蚀液界面聚集并氧化氮化镓，从而生成三氧化二镓；
(3)两性的三氧化二镓可与氢离子或氢氧根离子反应被溶解，使得光电化学刻蚀可持续进行。
