irf110参数?

生活经验013

最小漏源击穿电压40 V

最大漏极电流 (ID)100 A

irf110参数?,第1张

最大漏源导通电阻0.009 Ω

FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码R-PSSO-G2

JESD-609代码e0

湿度敏感等级1

元件数量1

端子数量2

工作模式ENHANCEMENT MODE

封装主体材料PLASTIC/EPOXY

封装形状RECTANGULAR

封装形式SMALL OUTLINE

峰值回流温度(摄氏度)260

极性/信道类型N-CHANNEL

最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A

认证状态Not Qualified

表面贴装YES

端子面层TIN LEAD

端子形式GULL WING

端子位置SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

晶体管应用SWITCHING

晶体管元件材料SILICON